Одесса, ул. Екатерининская, 87
вход со стороны ул. Малая Арнаутская
ПН-СБ: 10:00 - 17:00
ВС: Выходной
Корзина
Сумма
0.00 грн.
0 0.00 грн. »
Одесса, ул. Екатерининская, 87
вход со стороны ул. Малая Арнаутская
ПН-СБ: 10:00 - 17:00
ВС: Выходной
Каталог
Фильтр
Применить
Очистить
Цена в грн.
От до
Объем
Скорость чтения (Mb/s)
Скорость записи (Mb/s)
Интерфейс

Винчестеры (SSD)

Выберите подкатегорию

Отображение: список /
Показать:
Сортировка:
Тип:внутренний Объем:4 TB Форм-фактор:M.2 Интерфейс M.2:PCI-E 5.0 4x   Контроллер:Silicon Motion SM2508 Буферная память:4000 МБ / LPDDR4-4266 Тип памяти:3D NAND / Micron 276-layer / NVMe Внешняя скорость записи:13800 МБ/с Внешняя скорость считывания:14500 МБ/с  IOPS записи:2300 тыс IOPS считывания:2200 тыс TBW:2400 ТБ DWPD:0.3 раз/день Охлаждение M.2 графеновый радиатор Размеры:22x80 мм

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.
Тип:внутренний   Объем:2 TB   Форм-фактор:M.2   Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x   Контроллер:Samsung Pascal   Буферная память:1000 МБ   Тип памяти:3D TLC NAND / Samsung 176-слойная    Внешняя скорость записи:6900 МБ/с   Внешняя скорость считывания:7450 МБ/с   Наработка на отказ:1.5 млн. ч   IOPS записи:1550 тыс   IOPS считывания:1400 тыс   TBW:1200 ТБ   DWPD:0.3 раз/день   TRIM   Шифрование данных:+   Размеры:22x80 мм   Вес:9 г  

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.