Винчестеры (SSD)
Выберите подкатегорию
Отображение:
список /
Показать:
Сортировка:
960 GB, 3D MLC NAND, 2.5", SATA III (6Gb/s), Скорость чтения - 540 Mb/s, Скорость записи - 520 Mb/s, 100 x 70 x 7
Нет в наличии
Серия - 980, 500 GB, 3bit MLC, M.2, PCI Express 3.0 x4, Скорость чтения - 3100 Mb/s, Скорость записи - 2600 Mb/s, 80.15 x 22.15 x 2.38 мм, 8 г, черный
Нет в наличии
Серия - 980, 1 TB, 3bit MLC, M.2, PCI Express 3.0 x4, Скорость чтения - 3500 Mb/s, Скорость записи - 3000 Mb/s, 80.15 x 22.15 x 2.38 мм, 8 г, черный
Нет в наличии
1 TB, portable, USB 3.2 Type-C, Скорость чтения - 1050 Mb/s, Скорость записи - 1000 Mb/s, 86.3 х 55.8 х 7.6 мм, 56 г
Нет в наличии
Серия - SNVS, 250 GB, 3D NAND, M.2, PCI Express 3.0 x4, Скорость чтения - 2100 Mb/s, Скорость записи - 1100 MB/s, 80 х 22 х 2.1 мм, 7 г, черный
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x /
Контроллер
Samsung Piccolo
Тип памяти
3D TLC NAND / Samsung 236-Layer (V8)
Внешняя скорость записи
6300 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7150 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
1350 тыс
IOPS считывания
850 тыс
TBW
600 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Охлаждение M.2
графеновый радиатор
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x /
Контроллер
Samsung Piccolo
Тип памяти
3D TLC NAND / Samsung 133-Layer
Внешняя скорость записи
4200 МБ/с
Внешняя скорость считывания
5000 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
800 тыс
IOPS считывания
700 тыс
TBW
1200 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x /
Контроллер
Samsung Piccolo
Тип памяти
3D TLC NAND / Samsung 236-Layer (V8) /
NVMe
Внешняя скорость записи
6300 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7250 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
1350 тыс
IOPS считывания
1000 тыс
TBW
1200 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Охлаждение M.2
графеновый радиатор
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
Samsung Pascal
Буферная память
1000 МБ
Тип памяти
3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /
NVMe
Внешняя скорость записи
6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7450 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
1550 тыс
IOPS считывания
1400 тыс
TBW
1200 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
4000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
Samsung Pascal
Буферная память
1000 МБ
Тип памяти
3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /
NVMe
Внешняя скорость записи
6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7450 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
1550 тыс
IOPS считывания
1600 тыс
TBW
2400 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
USB C 3.2 gen2
Внешняя скорость записи
1000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
1050 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C
Ударостойкий корпус
Материал корпуса
металл
Размеры
85x57x8 мм
Вес
58 г
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
USB C 3.2 gen2
Внешняя скорость записи
1000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
1050 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C
Ударостойкий корпус
Материал корпуса
металл
Размеры
85x57x8 мм
Вес
58 г
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
USB C 3.2 gen2
Тип памяти
3D NAND
Внешняя скорость записи
1000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
1050 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C и USB C – USB A
Ударостойкий корпус
Уровень защиты (IP)
IP65
Материал корпуса
металл
Размеры
88x59x13 мм
Вес
98 г
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
4000 ГБ
Разъем
USB C 3.2 gen2x2
Тип памяти
3D NAND
Внешняя скорость записи
2000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
2000 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C и USB C – USB A
Ударостойкий корпус
Размеры
88x60x14 мм
Вес
122 г
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
Phison E25
Буферная память
1024 МБ / LPDDR4-4266 CL15 /
Тип памяти
3D TLC NAND / 232-Layer Micron /
NVMe
Внешняя скорость записи
6800 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7300 МБ/с
IOPS записи
1440 тыс
IOPS считывания
1150 тыс
TBW
600 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Охлаждение M.2
графеновый радиатор
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
Phison E25
Буферная память
1024 МБ / LPDDR4-4266 CL15 /
Тип памяти
3D TLC NAND / 232-Layer Micron /
NVMe
Внешняя скорость записи
6800 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7300 МБ/с
IOPS записи
1440 тыс
IOPS считывания
1150 тыс
TBW
600 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Охлаждение M.2
радиатор
Размеры
23x80x9.7 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
SanDisk 20-82-20035-B2
Буферная память
2000 МБ / DDR4 /
Тип памяти
3D TLC NAND / SanDisk 112-слойная BiCS5 /
NVMe
Внешняя скорость записи
6600 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7300 МБ/с
IOPS записи
1100 тыс
IOPS считывания
1200 тыс
TBW
1200 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
TRIM
Охлаждение M.2
графеновый радиатор
Размеры
22x80 мм
Вес
8 г
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
4000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
SanDisk 20-82-20035-B2
Буферная память
4000 МБ / DDR4 /
Тип памяти
3D TLC NAND / SanDisk 112-слойная BiCS5 /
NVMe
Внешняя скорость записи
6600 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7300 МБ/с
IOPS записи
1100 тыс
IOPS считывания
1200 тыс
TBW
2400 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
TRIM
Размеры
22x80 мм
Вес
8 г
Нет в наличии