Винчестеры (SSD)
Выберите подкатегорию
Отображение:
список /
Показать:
Сортировка:
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x /
Контроллер
Samsung Piccolo
Тип памяти
3D TLC NAND / Samsung 236-Layer (V8) /
NVMe
Внешняя скорость записи
6300 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7250 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
1350 тыс
IOPS считывания
1000 тыс
TBW
1200 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Охлаждение M.2
графеновый радиатор
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
Samsung Pascal
Буферная память
1000 МБ
Тип памяти
3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /
NVMe
Внешняя скорость записи
6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7450 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
1550 тыс
IOPS считывания
1400 тыс
TBW
1200 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
USB C 3.2 gen2
Внешняя скорость записи
1000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
1050 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C
Ударостойкий корпус
Материал корпуса
металл
Размеры
85x57x8 мм
Вес
58 г
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
USB C 3.2 gen2
Внешняя скорость записи
1000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
1050 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C
Ударостойкий корпус
Материал корпуса
металл
Размеры
85x57x8 мм
Вес
58 г
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
USB C 3.2 gen2
Тип памяти
3D NAND
Внешняя скорость записи
1000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
1050 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C и USB C – USB A
Ударостойкий корпус
Уровень защиты (IP)
IP65
Материал корпуса
металл
Размеры
88x59x13 мм
Вес
98 г
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
4000 ГБ
Разъем
USB C 3.2 gen2x2
Тип памяти
3D NAND
Внешняя скорость записи
2000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
2000 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C и USB C – USB A
Ударостойкий корпус
Размеры
88x60x14 мм
Вес
122 г
Нет в наличии
Тип внутренний
Объем 2000 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс M.2 PCI-E 5.0 4x
Контроллер Samsung Presto
Буферная память 2000 МБ / LPDDR4X /
Тип памяти 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /
NVMe / 2.0 /
Внешняя скорость записи 13400 МБ/с
Внешняя скорость считывания 14700 МБ/с
Наработка на отказ 1.5 млн. ч
IOPS записи 2600 тыс
IOPS считывания 1850 тыс
TBW 1200 ТБ
DWPD 0.3 раз/день
TRIM
Шифрование данных / TCG Opal 2.0 /
Охлаждение M.2 радиатор
Размеры 25x80.15x8.88 мм
Вес 9 г
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
Phison E25
Буферная память
1024 МБ / LPDDR4-4266 CL15 /
Тип памяти
3D TLC NAND / 232-Layer Micron /
NVMe
Внешняя скорость записи
6800 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7300 МБ/с
IOPS записи
1440 тыс
IOPS считывания
1150 тыс
TBW
600 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Охлаждение M.2
графеновый радиатор
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
Phison E25
Буферная память
1024 МБ / LPDDR4-4266 CL15 /
Тип памяти
3D TLC NAND / 232-Layer Micron /
NVMe
Внешняя скорость записи
6800 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7300 МБ/с
IOPS записи
1440 тыс
IOPS считывания
1150 тыс
TBW
600 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Охлаждение M.2
радиатор
Размеры
23x80x9.7 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 3.0 4x
Контроллер
Silicon Motion SM2262EN
Тип памяти
3D TLC NAND
NVMe
Внешняя скорость записи
2400 МБ/с
Внешняя скорость считывания
3200 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
TRIM
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
USB C 3.2 gen2
Тип памяти
3D NAND
Внешняя скорость записи
1000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
1050 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C и USB C – USB A
Ударостойкий корпус
Уровень защиты (IP)
IP65
Материал корпуса
металл
Размеры
88x59x13 мм
Вес
98 г
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
Phison E27T
Тип памяти
3D TLC NAND / 162-Layer Kioxia /
NVMe
Внешняя скорость записи
6500 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7000 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
1200 тыс
IOPS считывания
1000 тыс
TBW
1200 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Шифрование данных
/ AES 256-bit /
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Тип памяти
3D TLC NAND
NVMe
Внешняя скорость записи
6800 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7100 МБ/с
Ударостойкость при работе
1500 G
Наработка на отказ
1.6 млн. ч
IOPS записи
1200 тыс
IOPS считывания
1000 тыс
TBW
1400 ТБ
DWPD
0.5 раз/день
Шифрование данных
Охлаждение M.2
радиатор
Размеры
23x80x19 мм
Вес
66 г
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 5.0 4x
Контроллер
Phison PS5026-E26
Буферная память
2096 МБ / Hynix LPDDR4-4266 /
Тип памяти
3D TLC NAND / Micron 232-Layer /
NVMe
Внешняя скорость записи
9600 МБ/с
Внешняя скорость считывания
11700 МБ/с
Наработка на отказ
1.6 млн. ч
IOPS записи
1500 тыс
IOPS считывания
1400 тыс
TBW
700 ТБ
DWPD
0.4 раз/день
TRIM
Шифрование данных
/ AES 256-bit Encryption /
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Тип памяти
3D NAND
NVMe
Внешняя скорость записи
6000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7100 МБ/с
TBW
220 ТБ
Охлаждение M.2
графеновый радиатор
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
4000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
Phison PS5018-E18
Буферная память
4000 МБ / DDR4 /
Тип памяти
3D TLC NAND / Micron 176L /
NVMe
Внешняя скорость записи
7000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7300 МБ/с
Наработка на отказ
1.8 млн. ч
IOPS записи
1000 тыс
IOPS считывания
1000 тыс
TBW
4000 ТБ
DWPD
0.6 раз/день
Охлаждение M.2
радиатор
Размеры
22x80x10.5 мм
Вес
35 г
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
SATA 3
Контроллер
Silicon Motion SM2258XT
Тип памяти
3D TLC NAND
Внешняя скорость записи
530 МБ/с
Внешняя скорость считывания
560 МБ/с
Ударостойкость при работе
1500 G
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
TRIM
Размеры
100x70x7 мм
Вес
63 г
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
SATA 3
Тип памяти
3D NAND
Внешняя скорость записи
500 МБ/с
Внешняя скорость считывания
550 МБ/с
Наработка на отказ
2 млн. ч
TBW
500 ТБ
DWPD
0.2 раз/день
Размеры
100х70х7 мм
Вес
45 г
Нет в наличии