Винчестеры (SSD)
Выберите подкатегорию
Отображение:
список /
Показать:
Сортировка:
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:Phison E25
Буферная память:1024 МБ / LPDDR4-4266 CL15 /
Тип памяти:3D TLC NAND / 232-Layer Micron /
NVMe
Внешняя скорость записи:6800 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7300 МБ/с
IOPS записи:1440 тыс
IOPS считывания:1150 тыс
TBW:600 ТБ
DWPD:0.3 раз/день
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 5.0 4x
Контроллер:Phison E26
Буферная память:1000 МБ / LPDDR4
Тип памяти:3D TLC NAND / Micron 232-layer /
NVMe
Внешняя скорость записи:10200 МБ/с
Внешняя скорость считывания:13600 МБ/с
IOPS записи:1750 тыс
IOPS считывания:1400 тыс
TBW:600 ТБ
DWPD:0.3 раз/день
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:Samsung Pascal
Буферная память:1000 МБ
Тип памяти:3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /
NVMe
Внешняя скорость записи:6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7450 МБ/с
Наработка на отказ:1.5 млн. ч
IOPS записи:1550 тыс
IOPS считывания:1200 тыс
TBW:600 ТБ
TRIM
Шифрование данных
Охлаждение M.2:радиатор
Размеры:24.3x80x8.2 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:WD A101-000172-A1
Тип памяти:3D TLC NAND / Kioxia 218-Layer /
NVMe
Внешняя скорость записи:6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7250 МБ/с
IOPS записи:1400 тыс
IOPS считывания:1000 тыс
TBW:600 ТБ
TRIM
DWPD:0.3 раз/день
Охлаждение M.2:графеновый радиатор
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:2000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:WD A101-000172-A1
Тип памяти:3D TLC NAND / Kioxia 218-Layer /
NVMe
Внешняя скорость записи:6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7250 МБ/с
IOPS записи:1400 тыс
IOPS считывания:1000 тыс
TBW:1200 ТБ
TRIM
DWPD:0.3 раз/день
Охлаждение M.2:графеновый радиатор
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии