Винчестеры (SSD)
Выберите подкатегорию
Отображение:
список /
Показать:
Сортировка:
Тип внутренний
Объем 1000 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x
Контроллер Silicon Motion SM2262EN
Тип памяти 3D TLC NAND
NVMe / 2.0 /
Внешняя скорость записи 2400 МБ/с
Внешняя скорость считывания 3200 МБ/с
Наработка на отказ 1.5 млн. ч
TRIM
Размеры 22x80 мм
Нет в наличии
Тип внутренний
Назначение для сервера
Объем 480 ГБ
Форм-фактор 2.5
Интерфейс M.2 SATA 3
Тип памяти 3D TLC NAND
Внешняя скорость записи 470 МБ/с
Внешняя скорость считывания 560 МБ/с
Наработка на отказ 2 млн. ч
IOPS записи 41 тыс
IOPS считывания 94 тыс
TBW 876 ТБ
DWPD 1 раз/день
Размеры 100x70x7 мм
Вес 92 г
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:500 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 3.0 4x
Контроллер:Phison E21T
Тип памяти:3D QLC NAND / 176-Layer Micron /
NVMe
Внешняя скорость записи:1900 МБ/с
Внешняя скорость считывания:3500 МБ/с
TBW:110 ТБ
DWPD:0.1 раз/день
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:Phison E25
Буферная память:1024 МБ / LPDDR4-4266 CL15 /
Тип памяти:3D TLC NAND / 232-Layer Micron /
NVMe
Внешняя скорость записи:6800 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7300 МБ/с
IOPS записи:1440 тыс
IOPS считывания:1150 тыс
TBW:600 ТБ
DWPD:0.3 раз/день
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 5.0 4x
Контроллер:Phison E26
Буферная память:1000 МБ / LPDDR4
Тип памяти:3D TLC NAND / Micron 232-layer /
NVMe
Внешняя скорость записи:10200 МБ/с
Внешняя скорость считывания:13600 МБ/с
IOPS записи:1750 тыс
IOPS считывания:1400 тыс
TBW:600 ТБ
DWPD:0.3 раз/день
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:Samsung Pascal
Буферная память:1000 МБ
Тип памяти:3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /
NVMe
Внешняя скорость записи:6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7450 МБ/с
Наработка на отказ:1.5 млн. ч
IOPS записи:1550 тыс
IOPS считывания:1200 тыс
TBW:600 ТБ
TRIM
Шифрование данных
Охлаждение M.2:радиатор
Размеры:24.3x80x8.2 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:WD A101-000172-A1
Тип памяти:3D TLC NAND / Kioxia 218-Layer /
NVMe
Внешняя скорость записи:6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7250 МБ/с
IOPS записи:1400 тыс
IOPS считывания:1000 тыс
TBW:600 ТБ
TRIM
DWPD:0.3 раз/день
Охлаждение M.2:графеновый радиатор
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:2000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:WD A101-000172-A1
Тип памяти:3D TLC NAND / Kioxia 218-Layer /
NVMe
Внешняя скорость записи:6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7250 МБ/с
IOPS записи:1400 тыс
IOPS считывания:1000 тыс
TBW:1200 ТБ
TRIM
DWPD:0.3 раз/день
Охлаждение M.2:графеновый радиатор
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 3.0 4x
Тип памяти
3D QLC NAND / 176-Layer Micron /
NVMe
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:SanDisk 20-82-20035-B2
Буферная память:1000 МБ / DDR4 /
Тип памяти:3D TLC NAND / SanDisk 112-слойная BiCS5 /
NVMe
Внешняя скорость записи:6300 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7300 МБ/с
IOPS записи:1100 тыс
IOPS считывания:800 тыс
TBW:600 ТБ
TRIM
DWPD:0.3 раз/день
Охлаждение M.2:графеновый радиатор
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:Samsung Pascal
Буферная память:1000 МБ
Тип памяти:3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /
NVMe
Внешняя скорость записи:6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7450 МБ/с
Наработка на отказ:1.5 млн. ч
IOPS записи:1550 тыс
IOPS считывания:1200 тыс
TBW:600 ТБ
DWPD
Шифрование данных
Размеры:22x80 мм
Вес 9 г
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Тип памяти:3D QLC NAND
NVMe
Внешняя скорость записи:4200 МБ/с
Внешняя скорость считывания:5000 МБ/с
Наработка на отказ:1.75 млн. ч
TBW:150 ТБ
DWPD:0.1 раз/день
Охлаждение M.2:графеновый радиатор
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:SATA 3
Тип памяти:3D TLC NAND
Внешняя скорость записи:520 МБ/с
Внешняя скорость считывания:560 МБ/с
Наработка на отказ:1.75 млн. ч
IOPS записи:82 тыс
IOPS считывания:90 тыс
TBW:400 ТБ
DWPD:0.2 раз/день
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Тип памяти:3D NAND
NVMe
Внешняя скорость записи:4500 МБ/с
Внешняя скорость считывания:5000 МБ/с
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:4000 ГБ
Форм-фактор:2.5"
Разъем:SATA 3
Контроллер:Samsung MKX
Буферная память:4000 МБ
Тип памяти:3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND /
Внешняя скорость записи:530 МБ/с
Внешняя скорость считывания:560 МБ/с
Ударостойкость при работе:1500 G
Наработка на отказ:1.5 млн. ч
IOPS записи:88 тыс
IOPS считывания:98 тыс
TBW:2400 ТБ
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:2000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:Samsung Pascal
Буферная память:1000 МБ
Тип памяти:3D TLC NAND / Samsung 176-слойная
Внешняя скорость записи:6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7450 МБ/с
Наработка на отказ:1.5 млн. ч
IOPS записи:1550 тыс
IOPS считывания:1400 тыс
TBW:1200 ТБ
DWPD:0.3 раз/день
TRIM
Шифрование данных:+
Охлаждение M.2:радиатор
Размеры:22x80 мм
Нет в наличии
Тип внутренний
Объем 1000 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс M.2 PCI-E 5.0 4x
Буферная память 1000 МБ / LPDDR4X /
Тип памяти 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /
NVMe / 2.0 /
Внешняя скорость записи 13300 МБ/с
Внешняя скорость считывания 14700 МБ/с
Шифрование данных +
Размеры 22x80 мм
Вес 9 г
Нет в наличии