Одесса, ул. Екатерининская, 87
вход со стороны ул. Малая Арнаутская
ПН-СБ: 10:00 - 17:00
ВС: Выходной
Корзина
Сумма
0.00 грн.
0 0.00 грн. »
Одесса, ул. Екатерининская, 87
вход со стороны ул. Малая Арнаутская
ПН-СБ: 10:00 - 17:00
ВС: Выходной
Каталог
Фильтр
Применить
Очистить
Цена в грн.
От до
Объем
Скорость чтения (Mb/s)
Скорость записи (Mb/s)
Интерфейс

Винчестеры (SSD)

Выберите подкатегорию

Отображение: список /
Показать:
Сортировка:
Новинки
Тип:внутренний Объем:500 ГБ Форм-фактор:M.2 Интерфейс M.2:PCI-E 3.0 4x Контроллер:Phison E21T Тип памяти:3D QLC NAND / 176-Layer Micron / NVMe Внешняя скорость записи:1900 МБ/с Внешняя скорость считывания:3500 МБ/с TBW:110 ТБ DWPD:0.1 раз/день Размеры:22x80 мм

2478.00 грн.
(59у.е.)
На основе 0 отзывов.
Новинки
Тип:внутренний Объем:1000 ГБ Форм-фактор:M.2 Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x Контроллер:WD A101-000172-A1 Тип памяти:3D TLC NAND / Kioxia 218-Layer  / NVMe Внешняя скорость записи:6900 МБ/с Внешняя скорость считывания:7250 МБ/с  IOPS записи:1400 тыс IOPS считывания:1000 тыс TBW:600 ТБ TRIM DWPD:0.3 раз/день Охлаждение M.2:графеновый радиатор Размеры:22x80 мм  

3318.00 грн.
(79у.е.)
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Назначение для сервера Объем 480 ГБ Форм-фактор 2.5 Интерфейс M.2 SATA 3 Тип памяти 3D TLC NAND  Внешняя скорость записи 470 МБ/с Внешняя скорость считывания 560 МБ/с Наработка на отказ 2 млн. ч IOPS записи 41 тыс IOPS считывания 94 тыс TBW 876 ТБ DWPD 1 раз/день Размеры 100x70x7 мм Вес 92 г          

3738.00 грн.
(89у.е.)
На основе 0 отзывов.
Новинки
Тип:внутренний Объем:1000 ГБ Форм-фактор:M.2 Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x Контроллер:Phison E25 Буферная память:1024 МБ / LPDDR4-4266 CL15 / Тип памяти:3D TLC NAND / 232-Layer Micron / NVMe Внешняя скорость записи:6800 МБ/с Внешняя скорость считывания:7300 МБ/с  IOPS записи:1440 тыс IOPS считывания:1150 тыс TBW:600 ТБ DWPD:0.3 раз/день Размеры:22x80 мм

4158.00 грн.
(99у.е.)
На основе 0 отзывов.
Новинки

4158.00 грн.
(99у.е.)
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 2000 ГБ Форм-фактор 2.5" Разъем SATA 3 Тип памяти 3D NAND Внешняя скорость записи 500 МБ/с Внешняя скорость считывания 550 МБ/с Наработка на отказ 2 млн. ч TBW 500 ТБ DWPD 0.2 раз/день Размеры 100х70х7 мм Вес 45 г

4578.00 грн.
(109у.е.)
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 2000 ГБ Форм-фактор 2.5" Разъем SATA 3 Контроллер Silicon Motion SM2258XT Тип памяти 3D TLC NAND Внешняя скорость записи 530 МБ/с Внешняя скорость считывания 560 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G Наработка на отказ 1.5 млн. ч TRIM   Размеры 100x70x7 мм Вес 63 г

4578.00 грн.
(109у.е.)
На основе 0 отзывов.
Новинки
Тип:внутренний Объем:1000 ГБ Форм-фактор:M.2 Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x Контроллер:Samsung Pascal Буферная память:1000 МБ  Тип памяти:3D TLC NAND / Samsung 176-слойная / NVMe Внешняя скорость записи:6900 МБ/с Внешняя скорость считывания:7450 МБ/с  Наработка на отказ:1.5 млн. ч IOPS записи:1550 тыс IOPS считывания:1200 тыс TBW:600 ТБ TRIM Шифрование данных Охлаждение M.2:радиатор Размеры:24.3x80x8.2 мм  

5040.00 грн.
(120у.е.)
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 2000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x / Контроллер Samsung Piccolo Тип памяти 3D TLC NAND / Samsung 236-Layer (V8) / NVMe   Внешняя скорость записи 6300 МБ/с Внешняя скорость считывания 7250 МБ/с Наработка на отказ 1.5 млн. ч IOPS записи 1350 тыс IOPS считывания 1000 тыс TBW 1200 ТБ DWPD 0.3 раз/день Охлаждение M.2 графеновый радиатор Размеры 22x80 мм

5418.00 грн.
(129у.е.)
На основе 0 отзывов.
Новинки
Тип:внутренний Объем:2000 ГБ Форм-фактор:M.2 Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x Контроллер:WD A101-000172-A1 Тип памяти:3D TLC NAND / Kioxia 218-Layer  / NVMe Внешняя скорость записи:6900 МБ/с Внешняя скорость считывания:7250 МБ/с  IOPS записи:1400 тыс IOPS считывания:1000 тыс TBW:1200 ТБ TRIM DWPD:0.3 раз/день Охлаждение M.2:графеновый радиатор Размеры:22x80 мм  

5838.00 грн.
(139у.е.)
На основе 0 отзывов.
Новинки
Тип:внутренний Объем:1000 ГБ Форм-фактор:M.2 Интерфейс M.2:PCI-E 5.0 4x Контроллер:Phison E26 Буферная память:1000 МБ / LPDDR4 Тип памяти:3D TLC NAND / Micron 232-layer / NVMe Внешняя скорость записи:10200 МБ/с Внешняя скорость считывания:13600 МБ/с  IOPS записи:1750 тыс IOPS считывания:1400 тыс TBW:600 ТБ DWPD:0.3 раз/день Размеры:22x80 мм

6258.00 грн.
(149у.е.)
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 2000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Контроллер Phison E27T Тип памяти 3D TLC NAND / 162-Layer Kioxia / NVMe   Внешняя скорость записи 6500 МБ/с Внешняя скорость считывания 7000 МБ/с Наработка на отказ 1.5 млн. ч IOPS записи 1200 тыс IOPS считывания 1000 тыс TBW 1200 ТБ DWPD 0.3 раз/день Шифрование данных  / AES 256-bit / Размеры 22x80 мм

6678.00 грн.
(159у.е.)
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 2000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Тип памяти 3D TLC NAND NVMe   Внешняя скорость записи 6800 МБ/с Внешняя скорость считывания 7100 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G Наработка на отказ 1.6 млн. ч IOPS записи 1200 тыс IOPS считывания 1000 тыс TBW 1400 ТБ DWPD 0.5 раз/день Шифрование данных   Охлаждение M.2 радиатор Размеры 23x80x19 мм Вес 66 г

7350.00 грн.
(175у.е.)
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 1000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Silicon Motion SM2262EN Тип памяти 3D TLC NAND  NVMe / 2.0 / Внешняя скорость записи 2400 МБ/с Внешняя скорость считывания 3200 МБ/с Наработка на отказ 1.5 млн. ч TRIM Размеры 22x80 мм  

8190.00 грн.
(195у.е.)
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 4000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Контроллер Phison PS5018-E18 Буферная память 4000 МБ / DDR4 / Тип памяти 3D TLC NAND / Micron 176L / NVMe   Внешняя скорость записи 7000 МБ/с Внешняя скорость считывания 7300 МБ/с Наработка на отказ 1.8 млн. ч IOPS записи 1000 тыс IOPS считывания 1000 тыс TBW 4000 ТБ DWPD 0.6 раз/день Охлаждение M.2 радиатор Размеры 22x80x10.5 мм Вес 35 г

12138.00 грн.
(289у.е.)
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 2000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 5.0 4x Контроллер Samsung Presto Буферная память 2000 МБ / LPDDR4X / Тип памяти 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung / NVMe / 2.0 / Внешняя скорость записи 13400 МБ/с Внешняя скорость считывания 14700 МБ/с Наработка на отказ 1.5 млн. ч IOPS записи 2600 тыс IOPS считывания 1850 тыс TBW 1200 ТБ DWPD 0.3 раз/день TRIM   Шифрование данных / TCG Opal 2.0 / Охлаждение M.2 радиатор Размеры 25x80.15x8.88 мм Вес 9 г

14070.00 грн.
(335у.е.)
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 4000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 5.0 4x Контроллер Samsung Presto Буферная память 4000 МБ / LPDDR4X / Тип памяти 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung / NVMe / 2.0 / Внешняя скорость записи 13400 МБ/с Внешняя скорость считывания 14800 МБ/с Наработка на отказ 1.5 млн. ч IOPS записи 2600 тыс IOPS считывания 2200 тыс TBW 2400  ТБ DWPD 0.3 раз/день TRIM   Шифрование данных / TCG Opal 2.0 / Размеры 22x80 мм Вес 9 г

19278.00 грн.
(459у.е.)
На основе 0 отзывов.
для компьютера, для ноутбука, SATA 6Gb/s, 560Mb/s (SATA 6 Gb/s), 530Mb/s (SATA 6 Gb/s), 2 млн.часов, 100.1 x 69.9 x 6.85 мм, 50 г, Iridium PRO

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.