Винчестеры (SSD) Samsung
Отображение:
список /
Показать:
Сортировка:
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x /
Контроллер
Samsung Piccolo
Тип памяти
3D TLC NAND / Samsung 236-Layer (V8) /
NVMe
Внешняя скорость записи
6300 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7250 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
1350 тыс
IOPS считывания
1000 тыс
TBW
1200 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Охлаждение M.2
графеновый радиатор
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
Samsung Pascal
Буферная память
1000 МБ
Тип памяти
3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /
NVMe
Внешняя скорость записи
6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7450 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
1550 тыс
IOPS считывания
1400 тыс
TBW
1200 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внутренний
Объем
4000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 4.0 4x
Контроллер
Samsung Pascal
Буферная память
1000 МБ
Тип памяти
3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /
NVMe
Внешняя скорость записи
6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания
7450 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
1550 тыс
IOPS считывания
1600 тыс
TBW
2400 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Размеры
22x80 мм
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
USB C 3.2 gen2
Внешняя скорость записи
1000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
1050 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C
Ударостойкий корпус
Материал корпуса
металл
Размеры
85x57x8 мм
Вес
58 г
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
1000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
USB C 3.2 gen2
Внешняя скорость записи
1000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
1050 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C
Ударостойкий корпус
Материал корпуса
металл
Размеры
85x57x8 мм
Вес
58 г
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
USB C 3.2 gen2
Тип памяти
3D NAND
Внешняя скорость записи
1000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
1050 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C и USB C – USB A
Ударостойкий корпус
Уровень защиты (IP)
IP65
Материал корпуса
металл
Размеры
88x59x13 мм
Вес
98 г
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
4000 ГБ
Разъем
USB C 3.2 gen2x2
Тип памяти
3D NAND
Внешняя скорость записи
2000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
2000 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C и USB C – USB A
Ударостойкий корпус
Размеры
88x60x14 мм
Вес
122 г
Нет в наличии
Тип внутренний
Объем 2000 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс M.2 PCI-E 5.0 4x
Контроллер Samsung Presto
Буферная память 2000 МБ / LPDDR4X /
Тип памяти 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /
NVMe / 2.0 /
Внешняя скорость записи 13400 МБ/с
Внешняя скорость считывания 14700 МБ/с
Наработка на отказ 1.5 млн. ч
IOPS записи 2600 тыс
IOPS считывания 1850 тыс
TBW 1200 ТБ
DWPD 0.3 раз/день
TRIM
Шифрование данных / TCG Opal 2.0 /
Охлаждение M.2 радиатор
Размеры 25x80.15x8.88 мм
Вес 9 г
Нет в наличии
Тип
внешний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
2.5"
Разъем
USB C 3.2 gen2
Тип памяти
3D NAND
Внешняя скорость записи
1000 МБ/с
Внешняя скорость считывания
1050 МБ/с
Шифрование данных
Кабель в комплекте
USB C – USB C и USB C – USB A
Ударостойкий корпус
Уровень защиты (IP)
IP65
Материал корпуса
металл
Размеры
88x59x13 мм
Вес
98 г
Нет в наличии
Тип внутренний
Объем 4000 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс M.2 PCI-E 5.0 4x
Контроллер Samsung Presto
Буферная память 4000 МБ / LPDDR4X /
Тип памяти 3D TLC NAND / 236-Layer Samsung /
NVMe / 2.0 /
Внешняя скорость записи 13400 МБ/с
Внешняя скорость считывания 14800 МБ/с
Наработка на отказ 1.5 млн. ч
IOPS записи 2600 тыс
IOPS считывания 2200 тыс
TBW 2400 ТБ
DWPD 0.3 раз/день
TRIM
Шифрование данных / TCG Opal 2.0 /
Размеры 22x80 мм
Вес 9 г
Нет в наличии
Тип:внутренний
Объем:1000 ГБ
Форм-фактор:M.2
Интерфейс M.2:PCI-E 4.0 4x
Контроллер:Samsung Pascal
Буферная память:1000 МБ
Тип памяти:3D TLC NAND / Samsung 176-слойная /
NVMe
Внешняя скорость записи:6900 МБ/с
Внешняя скорость считывания:7450 МБ/с
Наработка на отказ:1.5 млн. ч
IOPS записи:1550 тыс
IOPS считывания:1200 тыс
TBW:600 ТБ
TRIM
Шифрование данных
Охлаждение M.2:радиатор
Размеры:24.3x80x8.2 мм
Нет в наличии