Одесса, ул. Екатерининская, 87
вход со стороны ул. Малая Арнаутская
ПН-ПТ: 10:00 - 18:00
СБ: 10:00 - 17:00
ВС: Выходной
Корзина
Сумма
0.00 грн.
0 0.00 грн. »
Одесса, ул. Екатерининская, 87
вход со стороны ул. Малая Арнаутская
ПН-ПТ: 10:00 - 18:00
СБ: 10:00 - 17:00
ВС: Выходной
Каталог
Фильтр
Применить
Очистить
Цена в грн.
От до
Объем
Скорость чтения (Mb/s)
Скорость записи (Mb/s)
Интерфейс

Винчестеры (SSD) Samsung

Отображение: список /
Показать:
Сортировка:
Тип внутренний Объем 1000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x / Контроллер Samsung Piccolo Тип памяти 3D TLC NAND / Samsung 236-Layer (V8)     Внешняя скорость записи 6300 МБ/с Внешняя скорость считывания 7150 МБ/с Наработка на отказ 1.5 млн. ч IOPS записи 1350 тыс IOPS считывания 850 тыс TBW 600 ТБ DWPD 0.3 раз/день   Охлаждение M.2 графеновый радиатор Размеры 22x80 мм

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 2000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x / Контроллер Samsung Piccolo Тип памяти 3D TLC NAND / Samsung 133-Layer    Внешняя скорость записи 4200 МБ/с Внешняя скорость считывания 5000 МБ/с Наработка на отказ 1.5 млн. ч IOPS записи 800 тыс IOPS считывания 700 тыс TBW 1200 ТБ DWPD 0.3 раз/день Размеры 22x80 мм

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 2000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Контроллер Samsung Pascal Буферная память 1000 МБ Тип памяти 3D TLC NAND / Samsung 176-слойная / NVMe   Внешняя скорость записи 6900 МБ/с Внешняя скорость считывания 7450 МБ/с Наработка на отказ 1.5 млн. ч IOPS записи 1550 тыс IOPS считывания 1400 тыс TBW 1200 ТБ DWPD 0.3 раз/день   Размеры 22x80 мм

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.
Тип внутренний Объем 4000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Контроллер Samsung Pascal Буферная память 1000 МБ Тип памяти 3D TLC NAND / Samsung 176-слойная / NVMe   Внешняя скорость записи 6900 МБ/с Внешняя скорость считывания 7450 МБ/с Наработка на отказ 1.5 млн. ч IOPS записи 1550 тыс IOPS считывания 1600 тыс TBW 2400 ТБ DWPD 0.3 раз/день   Размеры 22x80 мм

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.
Тип внешний Объем 1000 ГБ Форм-фактор 2.5" Разъем USB C 3.2 gen2 Внешняя скорость записи 1000 МБ/с Внешняя скорость считывания 1050 МБ/с Шифрование данных   Кабель в комплекте USB C – USB C Ударостойкий корпус   Материал корпуса металл Размеры 85x57x8 мм Вес 58 г

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.
Тип внешний Объем 1000 ГБ Форм-фактор 2.5" Разъем USB C 3.2 gen2 Внешняя скорость записи 1000 МБ/с Внешняя скорость считывания 1050 МБ/с Шифрование данных   Кабель в комплекте USB C – USB C Ударостойкий корпус   Материал корпуса металл Размеры 85x57x8 мм Вес 58 г

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.
Тип внешний Объем 2000 ГБ Форм-фактор 2.5" Разъем USB C 3.2 gen2 Тип памяти 3D NAND Внешняя скорость записи 1000 МБ/с Внешняя скорость считывания 1050 МБ/с Шифрование данных   Кабель в комплекте USB C – USB C и USB C – USB A Ударостойкий корпус   Уровень защиты (IP) IP65 Материал корпуса металл Размеры 88x59x13 мм Вес 98 г

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.
Тип внешний Объем 4000 ГБ Разъем USB C 3.2 gen2x2 Тип памяти 3D NAND Внешняя скорость записи 2000 МБ/с Внешняя скорость считывания 2000 МБ/с Шифрование данных   Кабель в комплекте USB C – USB C и USB C – USB A Ударостойкий корпус   Размеры 88x60x14 мм Вес 122 г

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.
Тип внешний Объем 2000 ГБ Форм-фактор 2.5" Разъем USB C 3.2 gen2 Тип памяти 3D NAND Внешняя скорость записи 1000 МБ/с Внешняя скорость считывания 1050 МБ/с Шифрование данных   Кабель в комплекте USB C – USB C и USB C – USB A Ударостойкий корпус   Уровень защиты (IP) IP65 Материал корпуса металл Размеры 88x59x13 мм Вес 98 г

Нет в наличии
На основе 0 отзывов.